onsemi ULN2003ADR2G NPN Darlington Transistor, 500 mA 50 V HFE:1000, 16-Pin SOIC

Nº de Estoque RS: 186-8994PMarca: onsemiPart Number: ULN2003ADR2G
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

500 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

16

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

1000

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.1 V dc

Maximum Collector Cut-off Current

50µA

Height

1.5mm

Width

4mm

Minimum Operating Temperature

-20 °C

Dimensions

10 x 4 x 1.5mm

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Length

10mm

Base Current

25mA

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25

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50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
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NPN

Maximum Continuous Collector Current

500 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

16

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

1000

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.1 V dc

Maximum Collector Cut-off Current

50µA

Height

1.5mm

Width

4mm

Minimum Operating Temperature

-20 °C

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10 x 4 x 1.5mm

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