STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 110 A, 900 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG

Nº de Estoque RS: 215-220Marca: STMicroelectronicsPart Number: SCT012H90G3AG
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

900V

Package Type

H2PAK-7

Series

SCT

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

625W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

138nC

Forward Voltage Vf

2.8V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

10.4 mm

Height

4.8mm

Length

15.25mm

Standards/Approvals

RoHS, AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

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R$ 930,14

R$ 930,14 Each (Sem VAT)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 110 A, 900 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG
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Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

1

Disponível em múltiplos de 1
1R$ 930,14
2R$ 1.860,28
3R$ 2.790,42
4R$ 3.720,56
5R$ 4.650,70
6R$ 5.580,84
7R$ 6.510,98
8R$ 7.441,12
9R$ 8.371,26
10R$ 8.501,30
11R$ 9.351,43
12R$ 10.201,56
13R$ 11.051,69
14R$ 11.901,82
15R$ 12.751,95

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10R$ 8.501,30
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13R$ 11.051,69
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QuantidadePreço unitário
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H2PAK-7

Series

SCT

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

625W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

138nC

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2.8V

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175°C

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10.4 mm

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