STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 110 A, 900 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG

Nº de Estoque RS: 215-220PMarca: STMicroelectronicsPart Number: SCT012H90G3AG
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

900V

Package Type

H2PAK-7

Series

SCT

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

625W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

138nC

Forward Voltage Vf

2.8V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

10.4 mm

Height

4.8mm

Length

15.25mm

Standards/Approvals

RoHS, AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

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Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

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1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
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Brand

STMicroelectronics

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MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

900V

Package Type

H2PAK-7

Series

SCT

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

625W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

138nC

Forward Voltage Vf

2.8V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

10.4 mm

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4.8mm

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