STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7

Nº de Estoque RS: 215-226PMarca: STMicroelectronicsPart Number: SCT018H65G3AG
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

H2PAK-7

Series

SCT

Mount Type

Through Hole

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

79.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

385W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

75°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

País de Origem

China

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Disponível em múltiplos de 1.

Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

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Disponível em múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
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Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

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650V

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H2PAK-7

Series

SCT

Mount Type

Through Hole

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

79.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

385W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

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