SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 650 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG

Nº de Estoque RS: 202-5488Marca: STMicroelectronicsPart Number: SCTW35N65G2VAG
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

SCT

Package Type

Hip247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.055 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

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2R$ 636,34
3R$ 954,51
4R$ 1.272,68
5R$ 1.590,85
6R$ 1.909,02
7R$ 2.227,19
8R$ 2.545,36
9R$ 2.863,53
10R$ 3.181,70
11R$ 3.499,87
12R$ 3.818,04
13R$ 4.136,21
14R$ 4.454,38
15R$ 4.772,55

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