SiC N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW90N65G2V

Nº de Estoque RS: 201-0887Marca: STMicroelectronicsPart Number: SCTW90N65G2V
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

119 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

Hip247

Series

SCTW90

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.024 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

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SiC N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW90N65G2V
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2R$ 1.054,56
3R$ 1.581,84
4R$ 2.109,12
5R$ 2.515,60
6R$ 3.018,72
7R$ 3.521,84
8R$ 4.024,96
9R$ 4.528,08
10R$ 4.837,10
11R$ 5.320,81
12R$ 5.804,52
13R$ 6.288,23
14R$ 6.771,94
15R$ 7.255,65

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N

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119 A

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Series

SCTW90

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Through Hole

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