STMicroelectronics STP12NM50 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB12NM50T4

Nº de Estoque RS: 188-8473Marca: STMicroelectronicsPart Number: STB12NM50T4
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

TO-263

Series

STP12NM50

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

350mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

160W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-65°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

9.35 mm

Height

4.37mm

Length

10.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

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Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

R$ 480,30

R$ 96,06 Each (In a Pack of 5) (Sem VAT)

STMicroelectronics STP12NM50 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB12NM50T4
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Disponível em múltiplos de 5.

Produção -

Disponível em múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

5

Disponível em múltiplos de 5
5R$ 480,30
10R$ 960,60
15R$ 1.440,90
20R$ 1.921,20
25R$ 2.401,50
30R$ 2.881,80
35R$ 3.362,10
40R$ 3.842,40
45R$ 4.322,70
50R$ 4.803,00
55R$ 5.283,30
60R$ 5.763,60
65R$ 6.243,90
70R$ 6.724,20
75R$ 7.204,50

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Type N

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TO-263

Series

STP12NM50

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

350mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

160W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-65°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Forward Voltage Vf

1.5V

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