STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6

Nº de Estoque RS: 192-4925Marca: STMicroelectronicsPart Number: STP26N60DM6
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

195 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.6mm

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

24 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

15.75mm

País de Origem

China

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R$ 143,86

R$ 71,93 Each (In a Pack of 2) (Sem VAT)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6
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Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 2.

Produção -

Disponível em múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

2

Disponível em múltiplos de 2
2R$ 143,86
4R$ 287,72
6R$ 431,58
8R$ 575,44
10R$ 687,50
12R$ 825,00
14R$ 962,50
16R$ 1.100,00
18R$ 1.237,50
20R$ 1.321,40
22R$ 1.453,54
24R$ 1.585,68
26R$ 1.717,82
28R$ 1.849,96
30R$ 1.982,10

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2

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2R$ 143,86
4R$ 287,72
6R$ 431,58
8R$ 575,44
10R$ 687,50
12R$ 825,00
14R$ 962,50
16R$ 1.100,00
18R$ 1.237,50
20R$ 1.321,40
22R$ 1.453,54
24R$ 1.585,68
26R$ 1.717,82
28R$ 1.849,96
30R$ 1.982,10

Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

QuantidadePreço unitárioPer Pacote
2 - 8R$ 71,93R$ 143,86
10 - 18R$ 68,75R$ 137,50
20 - 48R$ 66,07R$ 132,14
50 - 98R$ 63,30R$ 126,60
100+R$ 61,22R$ 122,44

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STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

195 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.6mm

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

24 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

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