Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 25 V Enhancement, 6-Pin SON CSD16301Q2

Nº de Estoque RS: 827-4672Marca: Texas InstrumentsPart Number: CSD16301Q2
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Texas Instruments

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

SON

Series

NexFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

34mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2 mm

Height

0.8mm

Length

2mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalhes do produto

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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R$ 52,30

R$ 5,23 Each (In a Pack of 10) (Sem VAT)

Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 25 V Enhancement, 6-Pin SON CSD16301Q2
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Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 10.

Produção -

Disponível em múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

10

Disponível em múltiplos de 10
10R$ 52,30
20R$ 104,60
30R$ 156,90
40R$ 209,20
50R$ 261,50
60R$ 313,80
70R$ 366,10
80R$ 418,40
90R$ 470,70
100R$ 523,00
110R$ 575,30
120R$ 627,60
130R$ 679,90
140R$ 732,20
150R$ 784,50

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70R$ 366,10
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90R$ 470,70
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NexFET

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Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

34mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2nC

Forward Voltage Vf

0.8V

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2 mm

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