Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 73 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SON CSD17307Q5A

Nº de Estoque RS: 827-4833Marca: Texas InstrumentsPart Number: CSD17307Q5A
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Texas Instruments

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

73A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SON

Series

NexFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

17.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4nC

Forward Voltage Vf

0.85V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5 mm

Height

1.1mm

Length

5.8mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalhes do produto

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

R$ 88,20

R$ 8,82 Each (In a Pack of 10) (Sem VAT)

Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 73 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SON CSD17307Q5A
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Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 10.

Produção -

Disponível em múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

10

Disponível em múltiplos de 10
10R$ 88,20
20R$ 176,40
30R$ 264,60
40R$ 352,80
50R$ 441,00
60R$ 529,20
70R$ 617,40
80R$ 705,60
90R$ 793,80
100R$ 882,00
110R$ 970,20
120R$ 1.058,40
130R$ 1.146,60
140R$ 1.234,80
150R$ 1.323,00

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70R$ 617,40
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90R$ 793,80
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Surface

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8

Maximum Drain Source Resistance Rds

17.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4nC

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5 mm

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