N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments CSD19502Q5BT

Nº de Estoque RS: 133-0154Marca: Texas InstrumentsPart Number: CSD19502Q5BT
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

157 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Package Type

VSON-CLIP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

4.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

195 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.1mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

130 nC @ 10 V

Height

1.05mm

Series

NexFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Detalhes do produto

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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R$ 44,34

Each (In a Pack of 2) (Sem VAT)

N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments CSD19502Q5BT
Selecione o tipo de embalagem

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 2.

Produção -

Disponível em múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

2

Disponível em múltiplos de 2
2R$ 88,68
4R$ 177,36
6R$ 266,04
8R$ 354,72
10R$ 427,10
12R$ 512,52
14R$ 597,94
16R$ 683,36
18R$ 768,78
20R$ 779,60
22R$ 857,56
24R$ 935,52
26R$ 1.013,48
28R$ 1.091,44
30R$ 1.169,40

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12R$ 512,52
14R$ 597,94
16R$ 683,36
18R$ 768,78
20R$ 779,60
22R$ 857,56
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Comprar em grandes quantidades

QuantidadePreço unitárioPer Pacote
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10 - 18R$ 42,71R$ 85,42
20 - 48R$ 38,98R$ 77,96
50 - 98R$ 35,70R$ 71,40
100+R$ 34,48R$ 68,96

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Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

157 A

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80 V

Package Type

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Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

4.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

195 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.1mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

130 nC @ 10 V

Height

1.05mm

Series

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