Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD19502Q5BT

Nº de Estoque RS: 133-0154Marca: Texas InstrumentsPart Number: CSD19502Q5BT
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

157 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Series

NexFET

Package Type

VSON-CLIP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

4.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

195 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.1mm

Number of Elements per Chip

1

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

130 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.05mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Detalhes do produto

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

R$ 90,32

R$ 45,16 Each (In a Pack of 2) (Sem VAT)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD19502Q5BT
Selecione o tipo de embalagem

Padrão

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 2.

Produção -

Disponível em múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

2

Disponível em múltiplos de 2
2R$ 90,32
4R$ 180,64
6R$ 270,96
8R$ 361,28
10R$ 436,10
12R$ 523,32
14R$ 610,54
16R$ 697,76
18R$ 784,98
20R$ 793,20
22R$ 872,52
24R$ 951,84
26R$ 1.031,16
28R$ 1.110,48
30R$ 1.189,80

R$ 90,32

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4R$ 180,64
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10R$ 436,10
12R$ 523,32
14R$ 610,54
16R$ 697,76
18R$ 784,98
20R$ 793,20
22R$ 872,52
24R$ 951,84
26R$ 1.031,16
28R$ 1.110,48
30R$ 1.189,80

QuantidadePreço unitárioPer Pacote
2 - 8R$ 45,16R$ 90,32
10 - 18R$ 43,61R$ 87,22
20 - 48R$ 39,66R$ 79,32
50 - 98R$ 36,47R$ 72,94
100+R$ 35,38R$ 70,76

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Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

4.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

195 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.1mm

Number of Elements per Chip

1

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

130 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

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