Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 272 A, 100 V, 3-Pin D2PAK CSD19536KTTT

Nº de Estoque RS: 900-9857Marca: Texas InstrumentsPart Number: CSD19536KTTT
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

272 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

NexFET

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

9.65mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

118 nC @ 0 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

4.83mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Detalhes do produto

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 272 A, 100 V, 3-Pin D2PAK CSD19536KTTT
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Padrão

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Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

1

Disponível em múltiplos de 1
1R$ 95,57
2R$ 191,14
3R$ 286,71
4R$ 382,28
5R$ 477,85
6R$ 573,42
7R$ 668,99
8R$ 764,56
9R$ 860,13
10R$ 955,70
11R$ 1.051,27
12R$ 1.146,84
13R$ 1.242,41
14R$ 1.337,98
15R$ 1.433,55

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9R$ 860,13
10R$ 955,70
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N

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D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

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3

Maximum Drain Source Resistance

2.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

9.65mm

Transistor Material

Si

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Length

10.67mm

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118 nC @ 0 V

Maximum Operating Temperature

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