Dual P-Channel MOSFET, 120 A, 30 V, 8-Pin LSON-CLIP Texas Instruments CSD87355Q5DT

Nº de Estoque RS: 133-0159Marca: Texas InstrumentsPart Number: CSD87355Q5DT
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Texas Instruments

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

LSON-CLIP

Series

NexFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.75V

Maximum Power Dissipation

12 W

Transistor Configuration

Dual Base

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18 nC, 40 nC

Width

5.1mm

Number of Elements per Chip

2

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Detalhes do produto

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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5

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5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
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P

Maximum Continuous Drain Current

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Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.75V

Maximum Power Dissipation

12 W

Transistor Configuration

Dual Base

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Length

6.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18 nC, 40 nC

Width

5.1mm

Number of Elements per Chip

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