P-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 3-Pin PW Mold Toshiba 2SJ668(TE16L,NQ)

Nº de Estoque RS: 415-174Marca: ToshibaPart Number: 2SJ668(TE16L,NQ)
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Toshiba

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PW Mold

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

170 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

20 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Width

5.5mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.3mm

Detalhes do produto

MOSFET P-Channel, 2SJ Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
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80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
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130P.O.A.
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Especificações

Brand

Toshiba

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PW Mold

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

170 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

20 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Width

5.5mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.5mm

Minimum Operating Temperature

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