Documentos Técnicos
Especificações
Brand
ToshibaMaximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220SIS
Maximum Drain Source Resistance
3,8 mΩ
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC při 10 V
País de Origem
China
Detalhes do produto
MOSFET Transistors, Toshiba
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P.O.A.
2
P.O.A.
2
Documentos Técnicos
Especificações
Brand
ToshibaMaximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220SIS
Maximum Drain Source Resistance
3,8 mΩ
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC při 10 V
País de Origem
China
Detalhes do produto