Toshiba TK N-Channel MOSFET, 207 A, 100 V, 3-Pin TO-220 TK100E10N1

Nº de Estoque RS: 796-5070Marca: ToshibaPart Number: TK100E10N1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

207 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

TK

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

255 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.45mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15.1mm

Detalhes do produto

MOSFET Transistors, Toshiba

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R$ 58,97

R$ 58,97 Each (Sem VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 207 A, 100 V, 3-Pin TO-220 TK100E10N1
Selecione o tipo de embalagem

Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 1.

Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

1

Disponível em múltiplos de 1
1R$ 58,97
2R$ 117,94
3R$ 176,91
4R$ 235,88
5R$ 294,85
6R$ 353,82
7R$ 412,79
8R$ 471,76
9R$ 530,73
10R$ 589,70
11R$ 648,67
12R$ 707,64
13R$ 766,61
14R$ 825,58
15R$ 884,55

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Toshiba TK N-Channel MOSFET, 207 A, 100 V, 3-Pin TO-220 TK100E10N1

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1

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2R$ 117,94
3R$ 176,91
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5R$ 294,85
6R$ 353,82
7R$ 412,79
8R$ 471,76
9R$ 530,73
10R$ 589,70
11R$ 648,67
12R$ 707,64
13R$ 766,61
14R$ 825,58
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Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

QuantidadePreço unitário
1 - 24R$ 58,97
25 - 99R$ 56,57
100 - 349R$ 54,80
350 - 499R$ 49,51
500+R$ 46,81

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Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

207 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

TK

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

255 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.45mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

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