Toshiba N-Channel MOSFET, 90 A, 100 V, 3-Pin TO-220 TK40E10N1,S1X(S

Nº de Estoque RS: 827-6220Marca: ToshibaPart Number: TK40E10N1,S1X(S
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

TK

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

8.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

126 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.45mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

49 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15.1mm

País de Origem

China

Detalhes do produto

MOSFET Transistors, Toshiba

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R$ 141,05

R$ 28,21 Each (In a Pack of 5) (Sem VAT)

Toshiba N-Channel MOSFET, 90 A, 100 V, 3-Pin TO-220 TK40E10N1,S1X(S
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Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 5.

Produção -

Disponível em múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

5

Disponível em múltiplos de 5
5R$ 141,05
10R$ 282,10
15R$ 423,15
20R$ 564,20
25R$ 705,25
30R$ 846,30
35R$ 987,35
40R$ 1.128,40
45R$ 1.269,45
50R$ 1.410,50
55R$ 1.551,55
60R$ 1.692,60
65R$ 1.833,65
70R$ 1.974,70
75R$ 2.115,75

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N

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90 A

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100 V

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TK

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Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

8.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

126 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.45mm

Transistor Material

Si

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10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

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