Documentos Técnicos
Especificações
Brand
ToshibaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
80 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
10 x 4.5 x 15mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
País de Origem
Japan
Detalhes do produto
NPN Power Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
R$ 129,65
R$ 25,93 Each (In a Pack of 5) (Sem VAT)
5
R$ 129,65
R$ 25,93 Each (In a Pack of 5) (Sem VAT)
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
5
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
| Quantidade | Preço unitário | Per Pacote |
|---|---|---|
| 5 - 20 | R$ 25,93 | R$ 129,65 |
| 25+ | R$ 22,36 | R$ 111,80 |
Documentos Técnicos
Especificações
Brand
ToshibaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
80 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
10 x 4.5 x 15mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
País de Origem
Japan
Detalhes do produto


