Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SiS110DN-T1-GE3

Nº de Estoque RS: 178-3962Marca: Vishay SiliconixPart Number: SiS110DN-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

14.2 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

70 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

24 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.5 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Width

3.15mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

País de Origem

China

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R$ 189,25

R$ 7,57 Each (In a Pack of 25) (Sem VAT)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SiS110DN-T1-GE3
Selecione o tipo de embalagem

Padrão

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 25.

Produção -

Disponível em múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

25

Disponível em múltiplos de 25
25R$ 189,25
50R$ 378,50
75R$ 567,75
100R$ 757,00
125R$ 946,25
150R$ 1.135,50
175R$ 1.324,75
200R$ 1.514,00
225R$ 1.703,25
250R$ 1.892,50
275R$ 2.081,75
300R$ 2.271,00
325R$ 2.460,25
350R$ 2.649,50
375R$ 2.838,75

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150R$ 1.135,50
175R$ 1.324,75
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225R$ 1.703,25
250R$ 1.892,50
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N

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TrenchFET

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PowerPAK 1212-8

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Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

70 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

24 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.5 nC @ 10 V

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1

Width

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Transistor Material

Si

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