Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 150 A, 40 V, 7-Pin D2PAK SQM40022EM_GE3

Nº de Estoque RS: 178-3948Marca: Vishay SiliconixPart Number: SQM40022EM_GE3
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

150 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

TrenchFET

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

4.83mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

106 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

11.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Automotive Standard

AEC-Q101

País de Origem

Taiwan, Province Of China

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R$ 285,70

R$ 28,57 Each (In a Pack of 10) (Sem VAT)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 150 A, 40 V, 7-Pin D2PAK SQM40022EM_GE3
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Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 10.

Produção -

Disponível em múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

10

Disponível em múltiplos de 10
10R$ 285,70
20R$ 571,40
30R$ 857,10
40R$ 1.142,80
50R$ 1.428,50
60R$ 1.714,20
70R$ 1.999,90
80R$ 2.285,60
90R$ 2.571,30
100R$ 2.857,00
110R$ 3.142,70
120R$ 3.428,40
130R$ 3.714,10
140R$ 3.999,80
150R$ 4.285,50

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N

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150 A

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40 V

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Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

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150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

4.83mm

Transistor Material

Si

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10.67mm

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106 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

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