Vishay N-Channel MOSFET, 5 A, 500 V, 3-Pin D2PAK IRF830ASPBF

Nº de Estoque RS: 650-4110Marca: VishayPart Number: IRF830ASPBF
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.4 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

24 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Width

9.65mm

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

4.83mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalhes do produto

N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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R$ 200,15

R$ 40,03 Each (In a Pack of 5) (Sem VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 5 A, 500 V, 3-Pin D2PAK IRF830ASPBF
Selecione o tipo de embalagem

Padrão

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 5.

Produção -

Disponível em múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

5

Disponível em múltiplos de 5
5R$ 200,15
10R$ 400,30
15R$ 600,45
20R$ 800,60
25R$ 1.000,75
30R$ 1.200,90
35R$ 1.401,05
40R$ 1.601,20
45R$ 1.801,35
50R$ 2.001,50
55R$ 2.201,65
60R$ 2.401,80
65R$ 2.601,95
70R$ 2.802,10
75R$ 3.002,25

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3

Maximum Drain Source Resistance

1.4 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

24 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Width

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