Vishay N-Channel MOSFET, 4.6 A, 500 V, 3-Pin TO-220FP IRFI840GPBF

Nº de Estoque RS: 540-8279PMarca: VishayPart Number: IRFI840GPBF
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4.6 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

850 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

40 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

67 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

9.8mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalhes do produto

N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

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Selecione o tipo de embalagem

Embalagem de Produção (Fita)

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 1.

Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

1

Disponível em múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4.6 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Package Type

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

850 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

40 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

67 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

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