Vishay N-Channel MOSFET, 2.4 A, 500 V, 3-Pin DPAK IRFR420TRPBF

Nº de Estoque RS: 710-4657PMarca: VishayPart Number: IRFR420TRPBF
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.4 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

19 nC @ 10 V

Width

6.22mm

Height

2.39mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalhes do produto

N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sem VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 2.4 A, 500 V, 3-Pin DPAK IRFR420TRPBF
Selecione o tipo de embalagem

Embalagem de Produção (Bobina)

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 10.

Produção -

Disponível em múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

10

Disponível em múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
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N

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2.4 A

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500 V

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Mounting Type

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Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

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