Vishay N-Channel MOSFET, 17 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB IRFZ24PBF

Nº de Estoque RS: 812-0672PMarca: VishayPart Number: IRFZ24PBF
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

60 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

País de Origem

China

Detalhes do produto

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sem VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 17 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB IRFZ24PBF
Selecione o tipo de embalagem

Embalagem de Produção (Tubo)

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 10.

Produção -

Disponível em múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

10

Disponível em múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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Vishay

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N

Maximum Continuous Drain Current

17 A

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60 V

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Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

60 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

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