N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SUP70040E-GE3

Nº de Estoque RS: 124-2249Marca: VishayPart Number: SUP70040E-GE3
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

76 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

4.65mm

Transistor Material

Si

Length

10.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Height

15.49mm

País de Origem

Taiwan, Province Of China

Detalhes do produto

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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R$ 49,73

Each (In a Pack of 5) (Sem VAT)

N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SUP70040E-GE3
Selecione o tipo de embalagem

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 5.

Produção -

Disponível em múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

5

Disponível em múltiplos de 5
5R$ 248,65
10R$ 497,30
15R$ 745,95
20R$ 994,60
25R$ 1.243,25
30R$ 1.491,90
35R$ 1.740,55
40R$ 1.989,20
45R$ 2.237,85
50R$ 1.869,50
55R$ 2.056,45
60R$ 2.243,40
65R$ 2.430,35
70R$ 2.617,30
75R$ 2.804,25

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45R$ 2.237,85
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5 - 45R$ 49,73R$ 248,65
50 - 120R$ 37,39R$ 186,95
125 - 245R$ 34,37R$ 171,85
250 - 495R$ 31,19R$ 155,95
500+R$ 29,00R$ 145,00

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100 V

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Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

76 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

4.65mm

Transistor Material

Si

Length

10.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Height

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