P-channel MOSFET 60V 185mA 6 Ohm SOT-23

Nº de Estoque RS: 152-6382PMarca: VishayPart Number: TP0610K-T1-E3
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

185 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

9 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

-3V

Minimum Gate Threshold Voltage

-1V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

2.64mm

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.7 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

-1.4V

Height

1.02mm

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sem VAT)

P-channel MOSFET 60V 185mA 6 Ohm SOT-23
Selecione o tipo de embalagem

Embalagem de Produção (Bobina)

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 25.

Produção -

Disponível em múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

25

Disponível em múltiplos de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
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P

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185 mA

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60 V

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SOT-23

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Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

9 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

-3V

Minimum Gate Threshold Voltage

-1V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

2.64mm

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.7 nC @ 10 V

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