Dual SiC N-Channel MOSFET, 191 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB014N04NF2SATMA1

Nº de Estoque RS: 262-5850PMarca: InfineonPart Number: IPB014N04NF2SATMA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

191 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

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191 A

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