N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD200N15N3GATMA1

Nº de Estoque RS: 171-1945Marca: InfineonPart Number: IPD200N15N3GATMA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

IPD200N15N3 G

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Length

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

9.45mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

4.57mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

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R$ 36,88

Each (In a Pack of 10) (Sem VAT)

N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD200N15N3GATMA1
Selecione o tipo de embalagem

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 10.

Produção -

Disponível em múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

10

Disponível em múltiplos de 10
10R$ 368,80
20R$ 598,60
30R$ 897,90
40R$ 1.197,20
50R$ 1.424,50
60R$ 1.709,40
70R$ 1.994,30
80R$ 2.279,20
90R$ 2.564,10
100R$ 2.699,00
110R$ 2.968,90
120R$ 3.238,80
130R$ 3.508,70
140R$ 3.778,60
150R$ 4.048,50

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20 - 40R$ 29,93R$ 299,30
50 - 90R$ 28,49R$ 284,90
100 - 240R$ 26,99R$ 269,90
250+R$ 25,44R$ 254,40

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3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

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150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Length

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

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