P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK Vishay Siliconix SQD40031EL_GE3

Nº de Estoque RS: 178-3950Marca: Vishay SiliconixPart Number: SQD40031EL_GE3
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

136 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

186 nC @ 10 V

Width

2.38mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Height

6.22mm

País de Origem

Taiwan, Province Of China

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R$ 225,80

R$ 22,58 Each (In a Pack of 10) (Sem VAT)

P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK Vishay Siliconix SQD40031EL_GE3
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Padrão

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Disponível em múltiplos de 10.

Produção -

Disponível em múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

10

Disponível em múltiplos de 10
10R$ 225,80
20R$ 451,60
30R$ 677,40
40R$ 903,20
50R$ 1.129,00
60R$ 1.354,80
70R$ 1.580,60
80R$ 1.806,40
90R$ 2.032,20
100R$ 1.952,00
110R$ 2.147,20
120R$ 2.342,40
130R$ 2.537,60
140R$ 2.732,80
150R$ 2.928,00

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50R$ 1.129,00
60R$ 1.354,80
70R$ 1.580,60
80R$ 1.806,40
90R$ 2.032,20
100R$ 1.952,00
110R$ 2.147,20
120R$ 2.342,40
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100 - 490R$ 19,52R$ 195,20
500 - 990R$ 17,46R$ 174,60
1000+R$ 15,36R$ 153,60

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P

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30 V

Series

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Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

136 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

186 nC @ 10 V

Width

2.38mm

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Si

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