Dual N-Channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1912EDH-T1-E3

Nº de Estoque RS: 710-3235Marca: VishayPart Number: SI1912EDH-T1-E3
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.13 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.05mm

Width

1.25mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.9mm

País de Origem

China

Detalhes do produto

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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60P.O.A.
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Vishay

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N

Maximum Continuous Drain Current

1.13 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

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2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.05mm

Width

1.25mm

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