RF Amplifiers ICs

RF amplifier ICs, or radio frequency amplifiers are a type of amplifier. Amplifiers are electronic devices which increase the power of a signal. RF amplifiers are devices that increase a low-power signal into a high-frequency signal in radio frequency communications. RF power amplifiers usually drive the transmitter antenna. They are integrated circuits which are used in electronic circuits, al...

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BGAP2D20AE6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier, 35.1 dB 2.7 GHz, 16-Pin PG-TSNP-16-12
BGAP2D20AE6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier, 35.1 dB 2.7 GHz, 16-Pin PG-TSNP-16-12
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35.1 dB
28.9dBm
3.4dB
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2.7 GHz
PG-TSNP-16-12
16
-
-
-
-
-
-
-
-
-
BGAP2D30AE6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier, 35.2 dB 4.2 GHz, 16-Pin PG-TSNP-16-13
BGAP2D30AE6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier, 35.2 dB 4.2 GHz, 16-Pin PG-TSNP-16-13
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28.5dBm
3.1dB
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4.2 GHz
PG-TSNP-16-13
16
-
-
-
-
-
-
-
-
-
BGAP2S20AE6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier, 34.8 dB 2.7 GHz, 16-Pin PG-TSNP-16-12
BGAP2S20AE6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier, 34.8 dB 2.7 GHz, 16-Pin PG-TSNP-16-12
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34.8 dB
28.9dBm
3.8dB
1
2.7 GHz
PG-TSNP-16-12
16
-
-
-
-
-
-
-
-
-
BGAP2S30AE6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier, 35 dB 4.2 GHz, 16-Pin PG-TSNP-16-12
BGAP2S30AE6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier, 35 dB 4.2 GHz, 16-Pin PG-TSNP-16-12
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3300 → 4200MHz
35 dB
28.5dBm
3.2dB
1
4.2 GHz
PG-TSNP-16-12
16
-
-
-
-
-
-
-
-
-
BGMC1210E6327XUMA1 Infineon, RF Amplifier 2-Channel 4.2 GHz, 32-Pin PG-VQFN-32
BGMC1210E6327XUMA1 Infineon, RF Amplifier 2-Channel 4.2 GHz, 32-Pin PG-VQFN-32
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Infineon
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4.2 GHz
PG-VQFN-32
32
-
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-
BGA123N6E6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier Low Noise, 21.2 dB 1615 MHz, 6-Pin PG-TSNP-6
BGA123N6E6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier Low Noise, 21.2 dB 1615 MHz, 6-Pin PG-TSNP-6
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Low Noise
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21.2 dB
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1615 MHz
PG-TSNP-6
6
-
-
-
-
-
-
BGA123N6
-
-
BGA715N7E6327XTSA2 Infineon, RF Amplifier Low Noise, 20 dB 1.615 GHz, 7-Pin TSNP
BGA715N7E6327XTSA2 Infineon, RF Amplifier Low Noise, 20 dB 1.615 GHz, 7-Pin TSNP
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Low Noise
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20 dB
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0.7dB
1
1.615 GHz
TSNP
7
2 x 1.3 x 0.35mm
0.35mm
2mm
1.5 V
-40 °C
+85 °C
BGA715N7
3.6 V
1.3mm
nRF21540-QDAA-R7 Nordic Semiconductor, RF Amplifier, 13 dB 2.4 GHz, 16-Pin QFN16
nRF21540-QDAA-R7 Nordic Semiconductor, RF Amplifier, 13 dB 2.4 GHz, 16-Pin QFN16
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Nordic Semiconductor
-
-
13 dB
21dBm
2.5dB
-
2.4 GHz
QFN16
16
-
-
-
-
-
-
RF Front-End Modules
-
-
ADL5535ARKZ-R7 Analog Devices, RF Amplifier Linear, 16.7 dB 1 GHz, 3-Pin SOT-89
ADL5535ARKZ-R7 Analog Devices, RF Amplifier Linear, 16.7 dB 1 GHz, 3-Pin SOT-89
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Analog Devices
Linear
-
16.7 dB
17.7dBm
3dB
1
1 GHz
SOT-89
3
4.6 x 2.6 x 1.6mm
1.6mm
4.6mm
4.5 V
-40 °C
+85 °C
-
5.5 V
2.6mm
BGA616H6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier Broadband MMIC, 19 dB 2 GHz, 4-Pin SOT-343
BGA616H6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier Broadband MMIC, 19 dB 2 GHz, 4-Pin SOT-343
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Infineon
Broadband MMIC
-
19 dB
18dBm
2.6dB
1
2 GHz
SOT-343
4
2 x 1.25 x 0.8mm
0.8mm
2mm
-
-65 °C
+150 °C
-
4.5 V
1.25mm
MAX3969ETP+ Maxim Integrated, RF Amplifier Limiting, 20-Pin TQFN
MAX3969ETP+ Maxim Integrated, RF Amplifier Limiting, 20-Pin TQFN
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Maxim Integrated
Limiting
-
-
-
-
-
-
TQFN
20
4.1 x 4.1 x 0.75mm
0.75mm
4.1mm
-0.5 V
-40 °C
+85 °C
-
7 V
4.1mm
ADL5545ARKZ-R7 Analog Devices, RF Amplifier Gain, 15.9 dB 6 GHz, 3-Pin SOT-89
ADL5545ARKZ-R7 Analog Devices, RF Amplifier Gain, 15.9 dB 6 GHz, 3-Pin SOT-89
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Analog Devices
Gain
-
15.9 dB
9.4dBm
5.2dB
1
6 GHz
SOT-89
3
4.6 x 2.6 x 1.6mm
1.6mm
4.6mm
4.75 V
-40 °C
+105 °C
-
5.25 V
2.6mm
MAX3747AEUB+ Maxim Integrated, RF Amplifier Limiting, 57 dB 6.4 kHz, 10-Pin μMAX
MAX3747AEUB+ Maxim Integrated, RF Amplifier Limiting, 57 dB 6.4 kHz, 10-Pin μMAX
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Maxim Integrated
Limiting
-
57 dB
-
30dB
-
6.4 kHz
μMAX
10
3.05 x 3.05 x 0.95mm
0.95mm
3.05mm
-0.5 V
-40 °C
+85 °C
-
4.5 V
3.05mm
NJG1159PHH-TE1 Nisshinbo Micro Devices, GPS Front End Module, 16 dB 1602 MHz, 10-Pin HFFP10-HH
NJG1159PHH-TE1 Nisshinbo Micro Devices, GPS Front End Module, 16 dB 1602 MHz, 10-Pin HFFP10-HH
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Nisshinbo Micro Devices
-
4MHz
16 dB
-
1.7dB
-
1602 MHz
HFFP10-HH
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
NJG1159PHH-TE1 Nisshinbo Micro Devices, GPS Front End Module, 16 dB 1602 MHz, 10-Pin HFFP10-HH
NJG1159PHH-TE1 Nisshinbo Micro Devices, GPS Front End Module, 16 dB 1602 MHz, 10-Pin HFFP10-HH
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Nº de Estoque RS: 241-2867Marca: Nisshinbo Micro DevicesPart Number: NJG1159PHH-TE1

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Nisshinbo Micro Devices
-
4MHz
16 dB
-
1.7dB
-
1602 MHz
HFFP10-HH
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ADL5535ARKZ-R7 Analog Devices, GPS Front End Module Linear, 16.7 dB 1 GHz, 3-Pin SOT-89
ADL5535ARKZ-R7 Analog Devices, GPS Front End Module Linear, 16.7 dB 1 GHz, 3-Pin SOT-89
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Nº de Estoque RS: 160-9928Marca: Analog DevicesPart Number: ADL5535ARKZ-R7

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1000

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1000P.O.A.
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Analog Devices
Linear
-
16.7 dB
17.7dBm
3dB
1
1 GHz
SOT-89
3
4.6 x 2.6 x 1.6mm
1.6mm
4.6mm
4.5 V
-40 °C
+85 °C
-
5.5 V
2.6mm
BGA123L4E6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier Low Noise, 18.2 dB 1615 MHz, 4-Pin TSLP-4-11
BGA123L4E6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier Low Noise, 18.2 dB 1615 MHz, 4-Pin TSLP-4-11
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Nº de Estoque RS: 258-0651Marca: InfineonPart Number: BGA123L4E6327XTSA1

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Infineon
Low Noise
-
18.2 dB
-
0.75dB
1
1615 MHz
TSLP-4-11
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
BGA123L4E6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier Low Noise, 18.2 dB 1615 MHz, 4-Pin TSLP-4-11
BGA123L4E6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier Low Noise, 18.2 dB 1615 MHz, 4-Pin TSLP-4-11
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Nº de Estoque RS: 258-0652Marca: InfineonPart Number: BGA123L4E6327XTSA1

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Low Noise
-
18.2 dB
-
0.75dB
1
1615 MHz
TSLP-4-11
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
BGA123N6E6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier Low Noise, 21.2 dB 1615 MHz, 6-Pin PG-TSNP-6
BGA123N6E6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier Low Noise, 21.2 dB 1615 MHz, 6-Pin PG-TSNP-6
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Nº de Estoque RS: 228-6512Marca: InfineonPart Number: BGA123N6E6327XTSA1

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20

Disponível em múltiplos de 20
20P.O.A.
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Infineon
Low Noise
-
21.2 dB
-
0.75dB
-
1615 MHz
PG-TSNP-6
6
-
-
-
-
-
-
BGA123N6
-
-
BGA125N6E6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier Low Noise, 22.2 dB 1300 MHz, 6-Pin PG-TSNP-6
BGA125N6E6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier Low Noise, 22.2 dB 1300 MHz, 6-Pin PG-TSNP-6
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Nº de Estoque RS: 228-6513Marca: InfineonPart Number: BGA125N6E6327XTSA1

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15000

Disponível em múltiplos de 15000
15000P.O.A.
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Infineon
Low Noise
-
22.2 dB
-
0.8dB
-
1300 MHz
PG-TSNP-6
6
-
-
-
-
-
-
BGA125N6
-
-