STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Nº de Estoque RS: 760-9499PMarca: STMicroelectronicsPart Number: STB24NM60N
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-263

Series

MDmesh

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

10.4 mm

Height

4.6mm

Length

10.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalhes do produto

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

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1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
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Especificações

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-263

Series

MDmesh

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

10.4 mm

Height

4.6mm

Length

10.75mm

Standards/Approvals

No

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