STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V Enhancement, 4-Pin ISOTOP STE40NC60

Nº de Estoque RS: 687-5226Marca: STMicroelectronicsPart Number: STE40NC60
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

ISOTOP

Series

MDmesh, SuperMESH

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

130mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

460W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-65°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

307.5nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

25.5 mm

Height

9.1mm

Length

38.2mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalhes do produto

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

R$ 668,47

R$ 668,47 Each (Sem VAT)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V Enhancement, 4-Pin ISOTOP STE40NC60
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Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 1.

Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

1

Disponível em múltiplos de 1
1R$ 668,47
2R$ 1.336,94
3R$ 2.005,41
4R$ 2.673,88
5R$ 3.342,35
6R$ 4.010,82
7R$ 4.679,29
8R$ 5.347,76
9R$ 6.016,23
10R$ 6.261,50
11R$ 6.887,65
12R$ 7.513,80
13R$ 8.139,95
14R$ 8.766,10
15R$ 9.392,25

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3R$ 2.005,41
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5R$ 3.342,35
6R$ 4.010,82
7R$ 4.679,29
8R$ 5.347,76
9R$ 6.016,23
10R$ 6.261,50
11R$ 6.887,65
12R$ 7.513,80
13R$ 8.139,95
14R$ 8.766,10
15R$ 9.392,25

QuantidadePreço unitário
1 - 9R$ 668,47
10 - 49R$ 626,15
50 - 99R$ 606,95
100 - 199R$ 543,46
200+R$ 514,45

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Brand

STMicroelectronics

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MOSFET

Channel Type

Type N

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40A

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ISOTOP

Series

MDmesh, SuperMESH

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

130mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

460W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-65°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

307.5nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

25.5 mm

Height

9.1mm

Length

38.2mm

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No

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