STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel FDmesh II Power MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STF11NM60ND

Nº de Estoque RS: 761-2745Marca: STMicroelectronicsPart Number: STF11NM60ND
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

STMicroelectronics

Product Type

FDmesh II Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220FP

Series

FDmesh

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.45Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

90W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.6 mm

Height

16.4mm

Length

10.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Detalhes do produto

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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R$ 82,28

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Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

1

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1R$ 82,28
2R$ 158,56
3R$ 237,84
4R$ 317,12
5R$ 396,40
6R$ 475,68
7R$ 554,96
8R$ 634,24
9R$ 713,52
10R$ 792,80
11R$ 872,08
12R$ 951,36
13R$ 1.030,64
14R$ 1.109,92
15R$ 1.189,20

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7R$ 554,96
8R$ 634,24
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10R$ 792,80
11R$ 872,08
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Type N

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10A

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TO-220FP

Series

FDmesh

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Through Hole

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3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.45Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

90W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Forward Voltage Vf

1.3V

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Width

4.6 mm

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