STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF26NM60N

Nº de Estoque RS: 761-2792PMarca: STMicroelectronicsPart Number: STF26NM60N
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

MDmesh

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

165mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

60nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

4.6 mm

Height

16.4mm

Length

10.4mm

Automotive Standard

No

Detalhes do produto

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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Embalagem de Produção (Tubo)

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Disponível em múltiplos de 1.

Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

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Disponível em múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
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STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

MDmesh

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

165mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

60nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

4.6 mm

Height

16.4mm

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10.4mm

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No

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