STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 9 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW10NK80Z

Nº de Estoque RS: 485-8572Marca: STMicroelectronicsPart Number: STW10NK80Z
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Package Type

TO-247

Series

MDmesh, SuperMESH

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

900 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.75mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 10 V

Height

20.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalhes do produto

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

R$ 96,23

R$ 96,23 Each (Sem VAT)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 9 A, 800 V, 3-Pin TO-247 STW10NK80Z
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Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 1.

Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

1

Disponível em múltiplos de 1
1R$ 96,23
2R$ 192,46
3R$ 288,69
4R$ 384,92
5R$ 481,15
6R$ 577,38
7R$ 673,61
8R$ 769,84
9R$ 866,07
10R$ 883,60
11R$ 971,96
12R$ 1.060,32
13R$ 1.148,68
14R$ 1.237,04
15R$ 1.325,40

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5R$ 481,15
6R$ 577,38
7R$ 673,61
8R$ 769,84
9R$ 866,07
10R$ 883,60
11R$ 971,96
12R$ 1.060,32
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QuantidadePreço unitário
1 - 9R$ 96,23
10 - 24R$ 88,36
25 - 99R$ 84,56
100 - 499R$ 68,47
500+R$ 61,82

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N

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9 A

Maximum Drain Source Voltage

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Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

900 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.75mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

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Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 10 V

Height

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