STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW56N60DM2

Nº de Estoque RS: 111-6485Marca: STMicroelectronicsPart Number: STW56N60DM2
brand-logo
Ver tudo em MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificações

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247

Series

MDmesh DM2

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

360W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Forward Voltage Vf

-5.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

90nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.15 mm

Standards/Approvals

No

Height

20.15mm

Length

15.75mm

Automotive Standard

No

Detalhes do produto

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

R$ 190,30

R$ 190,30 Each (Sem VAT)

STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW56N60DM2
Selecione o tipo de embalagem

Padrão

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 1.

Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

1

Disponível em múltiplos de 1
1R$ 190,30
2R$ 380,60
3R$ 570,90
4R$ 761,20
5R$ 951,50
6R$ 1.141,80
7R$ 1.332,10
8R$ 1.522,40
9R$ 1.712,70
10R$ 1.903,00
11R$ 2.093,30
12R$ 2.283,60
13R$ 2.473,90
14R$ 2.664,20
15R$ 2.854,50

R$ 190,30

R$ 190,30 Each (Sem VAT)

STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW56N60DM2

Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

Selecione o tipo de embalagem

Padrão

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 1.

Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

1

Disponível em múltiplos de 1
1R$ 190,30
2R$ 380,60
3R$ 570,90
4R$ 761,20
5R$ 951,50
6R$ 1.141,80
7R$ 1.332,10
8R$ 1.522,40
9R$ 1.712,70
10R$ 1.903,00
11R$ 2.093,30
12R$ 2.283,60
13R$ 2.473,90
14R$ 2.664,20
15R$ 2.854,50

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificações

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247

Series

MDmesh DM2

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

360W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Forward Voltage Vf

-5.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

90nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.15 mm

Standards/Approvals

No

Height

20.15mm

Length

15.75mm

Automotive Standard

No

Detalhes do produto

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more